(相关资料图)

一、相同 SRAM、DRAM、SDRAM、DDR同属于RAM系列，RAM即随机存取存储器，存取速度快，容量相对小，价格相对高。二、区别2.1、定义： **SRAM**：Static Random-Access Memory，即静态随机存取存储器； **DRAM**：Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器； **SDRAM**:Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存储器； **DDR**：Double Data Rate，严格来说是DDR SDRAM，即双通道同步动态随机存储器。

2.2、工作原理： **SRAM**：静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的，依靠触发器的自保功能存储数据的，故不需要刷新（电容充电）；下图中为SRAM基本电路（1bit存储单元），其中M1~M4四个场效应管为数据保存单元（交叉耦合反相器）基本电路，M5、M6是读写控制开关。

图1.SRAM存储单元基本电路

图2.存储器原理概要 图2大致描述了存储器原理，不正确之处还请指正。

DRAM：使用电容存储数据，所以必须隔一段时间刷新一次(即电容充电)，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失； SDRAM：该类型内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以时钟为基准，且需要隔一段时间刷新依次（电容充电）； DDR：双倍速率同步动态随机存储器，在动态随机存储器和同步动态随机存储器基础上发展而来，与传统的单数据速率相比，DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作，即在时钟的上升沿和下降沿分别执行一次读/写操作。