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赛晶半导体管理层表示，本次融资所得资金，将重点用于公司最新的IGBT模块和SiC模块生产线建设。其中，厂房内部建设和设备采购已经开始。此外，资金还将用于人才团队的扩充，以及微沟槽IGBT芯片和 SiC芯片等的研发。
据了解，赛晶半导体致力于打造国际领先水平的IGBT、SiC芯片及模块。自2019年成立以来，赛晶半导体已经推出的i20系列1200V、1700V IGBT芯片，采用窄台面、短沟道、3D结构、优化N-型增强层和P+层等多项行业前沿设计，具有大功率、低损耗、高可靠性等特点，在业内处于很高水平。公司已经率先实现在12英寸晶圆代工生产线量产IGBT芯片，为公司面向未来的产能优势和成本竞争力打下坚实基础。此外，赛晶半导体已经推出的ED封装、ST封装IGBT模块，采用显著提升均流性能的“直线型”布局等多项优化设计，并通过工业4.0的全自动智能制造工艺和质量管理实现了优异的产品电气性能、可靠性、一致性，获得电动汽车、新能源发电，储能、SVG及其他工控领域客户的广泛认可和批量订单。
赛晶半导体负责人表示，公司将加快规划中的第三、四条模块生产线（分别为一个IGBT模块和一个SiC模块生产线）的建设和产能提升。近期，他们将陆续推出两款车规级产品 – HEEV封装SiC模块、EVD封装SiC模块和IGBT模块，以加强在电动汽车市场的产品布局。此外，公司微沟槽IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的研发工作，也已经启动。此外，他们还将在下半年重点加强国外市场拓展，推动中国制造的高品质半导体走向世界。
